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10月26日上午，学院邀请了来自俄罗斯科学院微电子与高纯材料研究所的Gennady Panin教授为公司师生作了题为“基于二维晶体的光存储器信息感知系统”的报告。报告会在yl23411永利二楼学术报告厅举行，由学院副经理夏晓红教授主持，相关教师及研究生参加了报告会。

在报告中，Panin教授首先介绍了科技发展和应用对算力的需求及现今算力的发展和极限，引出忆阻器、类脑仿生、突触仿生忆阻系统等的应用和发展前景，接着介绍了自己课题组在石墨烯，氧化石墨烯和过渡金属硫化物的光存储器，以及量子点范德华异质结构在忆阻系统等方面的研究工作。这些结构可用于基于传感器中信息预处理的宽UV-IR范围内的模式识别，基于低维材料的集成神经网络的智能光传感器的构建为发展低能耗自主神经形态宽带视觉系统提供了新机遇。报告结束后，针对老师和同学们提出的有关机理和性能等方面的问题，做出了认真、细致的解答。这次报告扩展了师生的视野，了解了更多的科技前沿动态。这对提升公司研究生的科研水平和工作能力将产生积极影响。

Gennady Panin教授长期从事半导体材料的晶体生长、测试分析与器件研究，上世纪80-90年代从事II-VI化合物半导体（主要是HgCdTe），用MBE（分子束外延）方法生长HgCdTe晶体及其量子阱（HgCdTe/CdTe），试制光电器件、红外探测器。进入本世纪主要从事第三代半导体、宽禁带半导体（GaN, ZnO, SiC）的外延生长和器件研究，包括量子阱、量子点LED、LD（激光二极管）的设计、试制和测试分析，发展了电子束诱生电流（EBIC，electron beam induced current）测试分析方法，结合电子束诱生阴极荧光谱，对宽禁带半导体的表面结构和发光性质进行了深入系统的研究。最近十多年来，Panin教授主要从事石墨烯、硫系二维半导体材料与微纳电子器件研究，特别是在绝缘晶体-硅酸镧镓上直接生长了晶圆级石墨烯，试制了二维光忆阻存储器件，取得了光忆阻器件的突破性进展。

Gennady Panin教授在Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Nanoscale, Europ. Phys., SMALL, 2D Mater. ACS Appl. Mater. Interf.等一流专业期刊发表论文200余篇，并担任上述多个期刊的特约审稿人，核心技术申请专利34项，在大型国际学术会议上做邀请报告40余次，研究成果受到国际同行高度评价。

10月26日下午，Panin教授访问程佳吉课题组，与课题组老师和研究生进行了相关科研工作的交流和讨论，为课题组师生分享了他在石墨烯相关领域研究的最新思想和结果，指导师生对改性石墨烯光学性能进行测试分析；课题组刘培朝老师与Panin教授交流讨论了其在无机纳米材料手性特性方面的研究工作进展和结果。

10月27-29日，张蕾老师陪同Panin教授进行了合作项目相关材料的光学、电学性能测试分析，与教授讨论学习了EBIC、CL等测试分析方法，对合作项目中量子点等工作的具体实施和学术问题进行了探讨，为保证合作项目的顺利进行提供有力支持。