应学院邀请，中国科学院半导体研究所游经碧研究员莅临公司访问讲学。2019年9月26日上午，游经碧研究员在学院报告厅作了题为“钙钛矿半导体光电器件”的学术报告。游经碧，中国科学院半导体研究所研究员，2010年在中国科学院半导体研究所获博士学位，2010~2015年在加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作，随后进入中国科学院半导体研究所工作，主要从事新型半导体光电器件研究。累计发表论文80余篇，被他引17000余次。

金属卤化物钙钛矿材料作为类新型半导体光电材料，既具有吸收系数高、载流子扩散长度长，又具有发光效率高等特点，在太阳能电池、发光极管等方面都具有很好的发展前景。近年来，钙钛矿光电转换器件研究取得了巨大的进展，其太阳能光电转换效率已达到24.2%，可与传统的硅电池媲美；发光极管外量子效率已超过  20%，并保持迅猛发展态势。报告总结目前国内外钙钛矿光电器件研究的进展和急需解决的问题，同时简要介绍我们在钙钛矿电池和发光二极管方面所开展的一系列工作，包括如何通过钙钛矿薄膜可控生长、界面修饰等方法提高钙钛矿光电器件的转换效率和稳定性。